标题:IXYS艾赛斯IXYH20N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH20N120C3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多应用场景中的理想选择。 首先,让我们了解一下IXYS IXYH20N120C3的特性。这款IGBT是一款1200V,40A,278W的功率半导体器件,封装为TO-247AD。它具有高耐压、大电流、高效率等特点,适用于各种需要大功率、高效率转换的设备,如逆
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