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标题:IXYS艾赛斯IXSH20N60B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXSH20N60B2D1功率半导体IGBT是一款优秀的600V 35A 190W IGBT。这款功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性,在许多电子设备中发挥着重要的作用。 首先,让我们了解一下IGBT的基本技术。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合型电力电子器件,兼具了晶体管的高输入阻抗和双极性晶体管的电流传输特性。IXYS艾赛斯IXSH20N60B
标题:Infineon(IR) IHW50N65R5XKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 Infineon(IR)的IHW50N65R5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点是650V的电压等级和80A的额定电流。这款IGBT在各种工业和电子设备中,如电机驱动、电源转换器和充电桩等,具有广泛的应用前景。 二、技术特点 IHW50N65R5XKSA1的IGBT模块采用TO-247-3封装,这种封装方式具有高功率容量和高热传导效率,适合大电流应用。此外,该模块还具
标题:IXYS艾赛斯IXSA20N60B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXSA20N60B2D1功率半导体IGBT是一款具有出色性能的600V 35A 190W IGBT。这款IGBT以其高效率、高可靠性以及低能耗的特性,在许多电子设备中发挥着关键作用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXSA20N60B2D1的特性。这款IGBT采用了先进的工艺技术,具有高开关速度、低导通电阻以及高击穿电压等特点。这些特性使得它在各种电子设备中都能发挥出色的性能,如电源转换、电机驱