GD兆易创新GD32A490ZKT7 Arm Cortex M4芯片的技术和方案应用介绍
2025-11-26GD兆易创新是一家在微控制器领域有着卓越表现的公司,其GD32A490ZKT7系列Arm Cortex M4芯片是一款备受瞩目的产品。这款芯片基于高性能的Arm Cortex M4核心,具有强大的处理能力和丰富的外设,广泛应用于各种嵌入式系统。 一、技术特点 GD32A490ZKT7芯片采用了高性能的Arm Cortex M4核心,主频高达80MHz,具有极高的运行和待机效率。该芯片还配备了高达512KB的闪存和256KB的SRAM,为开发者提供了充足的内存空间。此外,该芯片还集成了丰富的外设
标题:GD兆易创新GD32A503KCU3 Arm Cortex M33芯片的技术和方案应用介绍 GD兆易创新公司推出的GD32A503KCU3芯片是一款基于Arm Cortex M33核心的微控制器,该芯片凭借其强大的性能和卓越的能效表现,在众多应用领域中发挥着越来越重要的作用。 一、技术特点 GD32A503KCU3芯片采用先进的Arm Cortex M33内核,工作频率高达33MHz,具有高性能、低功耗的特点。该芯片内部集成高达64K的闪存和2K的SRAM,支持多种通信接口,包括UART
标题:GD兆易创新GD32A503CBT3 Arm Cortex M33芯片的技术和方案应用介绍 GD兆易创新公司推出的GD32A503CBT3芯片是一款基于Arm Cortex M33核心的微控制器,该芯片凭借其强大的性能和出色的功耗控制,在众多应用领域中发挥着越来越重要的作用。 一、技术特点 GD32A503CBT3芯片采用先进的Arm Cortex M33内核,主频高达120MHz,具有出色的数据处理能力和低功耗特性。该芯片集成多个定时器和通信接口,支持多种通信协议,方便开发者进行各种通
1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
2025-11-212025年11月18日,北京——国产半导体龙头 兆易创新 (GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作,GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
2025-11-212025年11月18日,北京——国产半导体龙头 兆易创新 (GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作,GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
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2025-11-212025年11月18日,北京——国产半导体龙头 兆易创新 (GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作,GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
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2025-11-212025年11月18日,北京——国产半导体龙头 兆易创新 (GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作,GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
