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标题：Infineon(IR) IRG8P08N120KD-EPBF功率半导体IRG8P08N120 - DISCRETE IGBT WITH的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在各种电子设备中的应用越来越广泛。Infineon(IR) IRG8P08N120KD-EPBF是一款具有高效率、高可靠性和高功率密度等优点的功率半导体器件。其DISCRETE IGBT WITH的设计方案，更是为电力电子系统提供了强大的技术支持。 IRG8P08N120是一款IGBT（绝缘栅双极型晶体