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Infineon英飞凌BSM100GB120DN2KHOSA1模块:MEDIUM POWER 34MM的参数及方案应用 一、简述产品 Infineon英飞凌BSM100GB120DN2KHOSA1模块是一款MEDIUM POWER 34MM封装规格的存储芯片。这款芯片适用于各种需要大容量、高速度数据存储的电子设备,如数码相机、移动硬盘、路由器等。该芯片采用先进的存储技术,具有高速读写速度、低功耗、耐久性强等特点,是现代电子设备的理想选择。 二、技术参数 1. 存储容量:大容量,高达120GB。
标题:Infineon(IR) IRGSL15B60KDPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IRGSL15B60KDPBF功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,其在各种电子设备中发挥着关键作用。本文将介绍IRGSL15B60KDPBF的特性和技术,以及其应用方案。 首先,IRGSL15B60KDPBF是一款高性能的功率IGBT,具有高耐压、大电流、低损耗等优点。其采用UltraFast Soft Recovery D技术,使得其开关速度更快,损耗更低,从而
标题:Infineon品牌S25FL127SABMFI101芯片IC:FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC的技术与应用介绍 一、技术介绍 Infineon品牌S25FL127SABMFI101是一款高性能的FLASH芯片,采用SPI/QUAD接口,具有8SOIC封装形式,提供了128MBit的存储容量。这款芯片的特点在于其采用了先进的FLASH技术,具有高存储密度、高读取速度、低功耗等优点。 SPI/QUAD接口是一种常见的FLASH芯片接口,具有高速、低功耗、易用等优点,
标题:Infineon(IR) SKB15N60E8151功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的SKB15N60E8151是一款高性能的功率半导体IGBT,其技术参数包括31A的电流容量和600V的电压规格,使其在各种电源和电机控制应用中表现出色。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有较高的开关频率和较低的损耗,因此在电力电子应用中广泛应用。SKB15N60E8151的出色性能得益于Infineon(IR)的先进技术,包括
标题:Infineon(IR) IKD10N60RATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKD10N60RATMA1功率半导体IGBT是一款优秀的600V 20A TO252-3封装结构的功率半导体器件。其强大的性能和应用范围使其在电力电子领域中占据了重要的地位。 首先,我们来了解一下IKD10N60RATMA1的基本技术参数。该器件采用了N沟道增强型技术,具有高耐压、大电流的特点。其600V的额定电压和20A的额定电流使其在许多应用场景中都能发挥出色的性能。此
随着科技的发展,电子设备对能源的需求越来越高,因此,低功耗设计已成为电子设备设计中的重要一环。Infineon英飞凌的F4100R06KL4BOSA1模块LOW POWER ECONO正是为此而生。该模块是一款适用于各种应用的高性能、低功耗微控制器,具有卓越的能源效率,为电子设备的设计和生产提供了新的可能性。 一、技术参数 F4100R06KL4BOSA1模块LOW POWER ECONO的主要技术参数如下: * 处理器:ARM Cortex-M4F,主频高达120MHz * 内存:16KB
标题:Infineon(IR) IRGS4620DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE技术与应用介绍 随着电力电子技术的发展,功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon(IR)的IRGS4620DPBF功率半导体IGBT WITH RECOVERY DIODE作为一种先进的功率半导体器件,以其独特的特性和优势,在许多领域得到了广泛的应用。 IRGS4620DPBF是一款高性能的IGBT,它集成了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和快速恢复二极
标题:Infineon(IR) IRG4BC30SPBF功率半导体IGBT的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IRG4BC30SPBF是一款高性能的功率半导体IGBT,其技术特点和方案应用在当今的电力电子系统中具有重要意义。 首先,IRG4BC30SPBF采用Infineon专有的N技术,具有出色的温度稳定性和可靠性。该器件可在宽温度范围内保持高开关速度和低损耗,这使其在各种恶劣环境下都能表现出色。 在方案应用方面,IRG4BC30SPBF主要用于电机驱动、不间断电源、变频器、太阳能逆
Infineon英飞凌DDB6U104N18RRBOSA1模块LOW POWER ECONO:节能新选择,高效应用方案 随着科技的飞速发展,电子设备对能源的需求日益增长,节能降耗已成为各行各业共同关注的重要课题。在这个背景下,Infineon英飞凌推出了一款名为DDB6U104N18RRBOSA1的模块,以其LOW POWER ECONO特性,为各类应用提供了全新的节能解决方案。 DDB6U104N18RRBOSA1模块是一款适用于各种低功耗应用的高效解决方案。其LOW POWER ECONO
标题:Infineon(IR) IRG4BC30SPBF-INF功率半导体IGBT的技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IRG4BC30SPBF-INF系列IGBT作为一种重要的功率半导体器件,具有出色的性能和广泛的应用领域。 IRG4BC30SPBF-INF功率半导体IGBT的最大额定值为34A I(C),600V V(BR)CES。这意味着该器件能够在高电流和高电压的环境下保持稳定和可靠的性能。此外,该器件采用了N技术,具